Propriétés Mécaniques Optiques Et Électroniques Des Semi Conducteurs Ii-x (x = S, Se Et Te)
Résumé: Le Sujet De cette thèse a pour but la détermination des propriétés mécaniques, électroniques et optiques des composés II-X (X= S, Se et Te) à savoir les composés ZnS, MgS, MgSe, MgTe et CdSxTe1-x, en utilisant le calcul ab-initio basé sur les méthodes : PP-PW (Pseudopotential Planes Waves) et FP-LAPW (Full-Potential Linearized Augmented Planes Waves). Les résultats obtenus révèlent que les systèmes étudiés présentent en majorité la phase B3 comme la phase la plus stable dans les conditions normales de pression. Les pressions de transition Pt se comparent bien avec les donnés théoriques et expérimentales disponibles. Les constantes élastiques vérifiant bien les critères de stabilités mécaniques, exhibent un comportement linéaire en fonction de la pression. Les composés CdSxTe1-x qui sont des semiconducteur dans la phase B3 présentent un caractère métallique dans la phase B1 (P>4 GPa) sauf le CdS qui reste semiconducteur mais en passant d'un gap direct (Γ-Γ) à un gap indirect (L-X). Les différents gaps d’énergies montrent une variation croissante que se soit avec la pression ou la composition (x) en soufre. Les propriétés optiques de l’alliage CdSxTe1-x montrent que les résultats obtenus de la constante diélectrique ε(ω), le coefficient d’absorption k(ω) et l’indice de réfraction n(ω) sont en général en bon accord avec les données disponibles et notamment pour les binaires CdS et CdTe à pression nulle.
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