Caractérisation Electrique De Diode Schottky À Base De L'algaas
Résumé: L’objectif principal de notre travail est d’étudier les caractéristiques d’une diode Schottky AlGaAs référenciée NU1362 à travers les caractérisations électriques et structurales en utilisant les équipements nécessaires disponibles dans la salle de caractérisation au sein du CDTA. Une étude approfondie incluant les notions de base sur les semiconducteurs en général et les diodes Schottky en particulier a été présenté dans le but de mieux comprendre leur comportement, fonctionnement ainsi que les phénomènes influençant leurs caractéristiques. La caractérisation expérimentale des diodes Schottky et l’extraction de leurs paramètres nous ont permis d’étudier l’influence de la température, de la fréquence et de la surface sur leur comportement et caractéristiques électriques I(V) et C(V). Les expériences et les résultats de caractérisation présentés dans ce mémoire démontrent l’efficacité des mesures I(V) et C(V) et pourront être utilisés comme une base de départ pour optimiser les performances des diodes Schottky.
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