Oxide Charges Densities Determination Using Charge-pumping Technique With Bts In Mos Structures
2008
Articles Scientifiques Et Publications

Université M'hamed Bougara - Boumerdes

B
Bentarzi, Hamid
Z
Zitouni, Abdelkader
K
Kribes, Youcef

Résumé: A New electrical method, using charge-pumping (CP) technique under bias thermal stress (BTS), has been described in this paper. This technique is based on the charge-pumping measurement which in turn used to extract the flat-band voltage before and after an applied bias voltage at high temperature. The obtained flat band voltage shift, that is due to redistribution of the mobile ionic charges, or to generation of the oxide trapped charge or both, may be used to determine their densities

Mots-clès:

oxide charges
charge pumping technique
flat
band voltage
bias thermal stress technique
mobile ionic charge density
oxide charge
oxide trapped charge density
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