Modélisation De La Température Pour Les Composants Actifs Radio Fréquence
2020
Mémoire de Master
Électronique et Télécommunications

Université Saad Dahleb - Blida

F
Fitas, Abdelaziz
L
Louaked, Ilyes

Résumé: otre travail s’est orienté dans le cadre d’une recherche de l’effet thermique sur le comportement de transistor de puissance HEMT AL-GAN/GAN car leurs performances et leur fiabilité dépendent directement de leurs températures de fonctionnement .ce dernier est très prometteur pour les applications haute puissance à hautes fréquences. Ce travail est fait par une conception assistée par ordinateur (CAO) laquelle est essentiel pour refléter la réalité avec l'augmentation du niveau de puissance et de la température du cana

Mots-clès:

l’effet thermique
transistor hemt
al-gan
gan
conception assistée par ordinateur cao
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