Effet De L'offset De Bande Sur Les Courants Dans Une Hétérojonction

Résumé: Le Travail que nous avons effectué dans le cadre de ce mémoire concerne la modélisation de composants optoélectroniques pour les applications dans le moyen infrarouge. Les solutions solides quaternaires GaInAsSb et GaAlAsSb apparaissent comme des matériaux de choix pour la réalisation des composants moyen infrarouge. Notre travail se compose de quatre chapitres. Dans le premier chapitre, nous avons effectué un travail bibliographique sur le binaire GaSb, InAs les ternaires InAs1?xSbx, Ga1?xInxAs. et Ga1?xAlxSb ainsi que les quaternaires Ga1?xInxAs1?ySby et Ga1?xAlxAs1?ySby. nous avons considéré le quaternaire Ga1?xInxAs1?ySby accordé sur deux substrats différents (GaSb et InAs). Le deuxième chapitre évoque les différents modèles théoriques permettant d'évaluer les offsets de bande de conduction et de valence des interfaces quasi-accordés. Parmi ces modèles, nous citons le modèle des affinités électroniques, le modèle des affinités électroniques corrigées, le modèle de Van de Walle et celui de Jaros. Dans Le troisième chapitre, nous avons fait une modélisation de la caractéristique électrique capacité tension d'homojonction et d'hétérojonctions dans le cadre de l'approximation de déplétion. Cette méthode permet de tirer le potentiel de diffusion qui un paramètre clé dans la détermination des offsets de bandes de valence et de conduction (méthode de l'intercept). Enfin, dans le quatrième chapitre nous avons modélisé les courants dans une homojonction et hétérojonctions. En plus, nous avons exploité la caractéristique expérimentale courant tension. Egalement, nous proposons des lois de variation des offsets de bande de valence de l'interface Ga1?xAlxAs1?ySbyGaSb?, en fonction de la composition de l'alliage.

Publié dans la revue: