Etude De La Nature De La Liaison Chimique Par L'intermediaire De La Structure De Bande Dans Les Semiconducteurs
Résumé: Du fait de l'importance des semi-conducteurs dans la science et la technologie, un immense intérêt a été apporte à la connaissance de ces matériaux,notamment a l'étude de leurs propriétés électroniques et structurales, en particuliers celles des liaisons chimiques. Le but de ce travail est l'étude de la tendance chimique ainsi que les liaisons dans les semi-conducteurs cristallisant dans la phase diamant et zinc blende: IV-IV: Ge, Si III-V:GaAs, GaSb, InSb,InAs,AlAs,AlSb,InP, Gap, InN ,AlN II-VI: ZnS, ZnSe, MgS, MgSe Cela par le biais du calcul de la structure de bande qui est devenu un moyen pratique et judicieux pour l'interprétation et l'analyse d'un nombre considérable de propriétés. Cette étude a été appliquée en utilisant la Méthode dite de Pseudo potentiel Empirique local (E.P.M). La confrontation des résultats obtenus avec ceux disponibles dans les différentes littératures révèle une bonne concordance.Ce qui nous permet de conclure que la méthode adoptée dans cette étude est très valide dans la description des états électroniques des matériaux étudies dans le cadre de ce travail.
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