Etude Ab Initio Des Propriétés Structurales Et Électroniques Des Semi-conducteurs Iii-v À Base De Phosphore (alp,lnp)
Résumé: Dans ce projet, nous nous sommes intéressées par à l’étude théorique du lnP et AlP en utilisant des méthodes ab inition pour étudier les propriétés structurales et électroniques en utilisant la méthode des ondes planes augmentées linéarisées à potontiel total plus orbitales locales (FP-LAPW+lo), l’énergie de d’échange-corrélation est décrite dans l’approximation du gradient généralisé (GGA) en utilisant le code WIEN2K. En premier abord, nous avons repris les propriétés physiques des semi-conducteurs III-V lnP et AlP Aussi, nous avons étudies les propriétés structurales et électroniques avec des Approximation GGA-PBE et GGA-EV en les comparant avec les résultats théoriques.
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