Etude Des Propriétés Électroniques De Nouveaux Ternaires De Type Chalcopyrite Destines À La Fabrication Des Cellules Solaires
Résumé: Les matériaux II-IV-V2 sont des composés attrayants pour les applications optoélectroniques, photoniques et photovoltaïques en raison de leur précieuse les propriétés électroniques et optiques. Les chalcopyrites ZnSiP2 et ZnGeP2 sont des semi-conducteurs prometteurs qui pourraient satisfaire ces critères. En particulier, ZnSiP2 est connu pour avoir une énergie de bande interdite de ∼2 eV . Dans ce travail, les calculs de premier principe ont été effectués pour étudier les propriétés structurelles et électroniques de ZnSiP2 et ZnGeP2 dans la structure de la chalcopyrite avec la méthode du plein potentiel - onde plane augmentée linéarisée (FP-LAPW) basée sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) telle qu'elle est mise en oeuvre dans le code WIEN2K. L'approximation de la densité locale (LDA) et la GGA ont été utilisées comme potentiel d'échange-corrélation pour calculer les propriétés structurelles. Enfin, les résultats obtenus indiquent que ZnSiP2 et ZnGeP2 sont des matériaux attrayants dans les cellules solaires, en particulier comme matériau à pour les applications de cellules solaires .
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