Etude, À L’échelle Atomique, Des Coefficients De Transfert De Charges Entre Le Silicium Dopé P Et Le Hf, Lors De La Création Du Silicium Poreux, Par Anodisation Électrochimique, En Utilisant La Simulation Par La Méthode Monte Carlo Cinétique

Résumé: Le travail demandé dans ce master est l’exploitation d’un simulateur (outil informatique) décrivant, à l’échelle atomique, le processus d’interact ion HF (liquide) avec le système cristallin Si (100) dopé p, à température ambiante, en utilisant la méthode de Monte Carlo cinétique dans la gestion des molécules HF arrivant sur la surface Si(100) dopé avec le Bore. Le mécanisme visé dans ce travail est le transfert de charge à l’interface HF/Si-B orienté (100), en parallèle avec ceux déjà connu : (1) réaction de HF/Si et HF/B, (2) adsorption de SiF 2 (interstitiel), )3( formation de brin SiF 3, )4( jonction des brins )5(formation de SiF 4 , (6) Désorption de SiF 4 . Ce travail entre dans le cadre des études menées pour la compréhension des mécanismes, aussi bien physiques que chimique, responsables de la formation des pores par anodisation électrochimique du silicium type p, en solution d’acide fluorhydrique, qui fut découvert par Uhlir en 1956, et reste toujours une curiosité de nombreux chercheurs. Mots clés : Semi-conducteur, modélisation et simulation, Anodisation électrochimique, Silicium poreux, Monte Carlo cinétique.

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