Structure De Bandes Électroniques Et Propriétés Dérivées Des Quasi-binaires (insb)1-x(cdte)x

Résumé: Nous rapportons dans ce travail une étude théorique des propriétés électroniques, optiques et diélectriques de alliages semiconducteurs quasi binaires (InSb)1-x (CdTe)x qui font partie d'une nouvelle classe de semi-conducteurs. Les calculs sont principalement basés sur l'approche du pseudo-potentiel empirique (EPM) avec l’approximation du cristal virtuel VCA. Nos résultats, pour les gaps directs et indirects, les structures de bandes , l’indice de réfraction et les constantes diélectriques statique et de haute fréquence des alliages quasibinaires (InSb)1-x(CdTe)x cristallisant dans la phase zinc-blende, sont en très bon accord avec les résultats expérimentaux et théoriques disponibles. Et des prévisions pour d’autres par manque de données. Abstract In this work, we report a theoretical study of electronic, optical and dielectric properties of the quasi binary semiconductor alloys (InSb)1-x(CdTe)x which are part of a new class of semiconductors . Our calculations are based on the empirical pseudopotential method (EPM) combined with the virtual crystal approximation (VCA). Our results for direct and indirect gaps, band structures, the refractive index and static dielectric constants and high frequency of the quasi-binary alloys (InSb)1-x (CdTe)x crystallizing in zinc-blende phase are in very good agreement with available experimental and theoretical results., And forecasts for other due to lack of data.

Publié dans la revue: