Etude Et Simulation De Émetteur Optique ‘diode Laser’
Résumé: "Durant cette dernière décennie, Les nitrures d’éléments III tels que le GaN, l’InN, l’AIN et BN, sont entrain de connaitre un essor considérable. L’intérêt croissant pour la construction des dispositifs électroniques à Semi-conducteur pour les applications dans les domaines de la micro, de la nano et de l’optoélectronique. Ce travail se rapporte sur l’étude de structure diode laser à base de nitrures de galium, le structure Ni/AlGaAs/ GaAs Ce travail est une simulation basée sur le logiciel SILVACO Atlas pour obtenir .les caractéristiques électriques et optiques de la photodiode jonction à savoir la caractéristique courant-tension (I-V) ." "خلال العقد الماضي ، شهدت نترات العناصر III مثل GaN و InN و AIN و BN طفرة كبيرة. الاهتمام المتزايد ببناء الأجهزة الإلكترونية شبه الموصلة للتطبيقات في مجالات الميكرو ، النانو والإلكترونيات الضوئية. يتعلق هذا العمل بدراسة هيكل الصمام الثنائي بالليزر على أساس نيتريد الجاليوم ، هيكل Ni / AlGaAs / GaAs هذا العمل عبارة عن محاكاة تعتمد على برنامج SILVACO Atlas للحصول على الخصائص الكهربائية والبصرية للديود الضوئي للوصلة ، وهي خاصية الجهد الحالي (I-V)."
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