Etude Et Réalisation Des Couches Minces De Zno Pour Application Photovoltaïque
Résumé: Le travail présenté dans ce mémoire porte sur la réalisation et l’étude des propriétés de couches minces d’oxyde de zinc (ZnO). Ce dernier est un semi-conducteur de type n à gap direct d’environ 3,3 eV, ce qui permet de le classer parmi les semi-conducteurs à large bande interdite. Il présente des caractéristiques intéressantes, permettant son utilisation dans les dispositifs à conversion photovoltaïque de l’énergie solaire. Pour réaliser ces dépôts, nous avons utilisé la technique de déposition en phase vapeur à pression atmosphérique (APCVD). Cette technique présente l’avantage de s’effectuer sous air, ce qui réduit le cout de sa mise en œuvre relativement aux techniques qui utilisent du vide.
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