Investigation Des Profils De Dopage Du Bore Dans Le Silicium De Type N Obtenus Par Simulation
2021
Mémoire de Master
Génie Civil Et Hydraulique

Université Saad Dahleb - Blida

B
Belkada, Feriel

Résumé: Dans le contexte global de la diversification de l’utilisation des ressources naturelles, le recours aux énergies renouvelables et en particulier le solaire photovoltaïque se fait de plus en plus fort. A ce titre, le développement d’une nouvelle génération de cellules photovoltaïques à base de Silicium semble prometteur. Dans ce travail de modélisation et de simulation, nous utilisons le logiciel EDNA 2, pour étudier les performances des cellules solaires à base de Silicium. Nous évaluons dans un premier temps, les différentes étapes de dopage de Bore pour une structure typique de jonction N. Par la suite nous nous intéressons à la concentration et à profondeur pour étudier l’influence de celles-ci sur les caractéristiques externes de la structure

Mots-clès:

silicium
type n
émetteur
diffusion du bore
courant de saturation
edna 2
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