Synthèse Et Caractérisation Des Couches Minces Du Sno2: (f, Co) Destinées À Des Applications Photovoltaïques

Résumé: Le but de ce travail est la préparation de couches minces de SnO2: (F, Co) avec des propriétés optoélectroniques appropriées pour les utiliser comme contact ohmique dans d'application photovoltaïques. Des couches minces transparentes conductrices d'oxyde d'étain co-dopées au cobalt (SnO2: (F, Co)) ont été déposées sur des substrats en verre préchauffés en utilisant la méthode de spray pyrolyse chimique avec des concentrations du cobalt qui sont variables dans la solution de pulvérisation. Le rapport de la concentration atomique (y) = [Co2+]/[Sn4+] possède les valeurs suivantes : 0, 1, 3 et 5 at. %. Les propriétés structurelles, optiques, photo luminescentes et électriques de ces couches mince ont été étudiées. On constate que les couches minces sont poly-cristallines avec une structure cristalline tétragonale correspondant à la phase SnO2 ayant une orientation préférentielle selon le plan (200). Les spectres de transmission et de réflexion révèlent la présence des franges d'interférence indiquant l'uniformité de l'épaisseur et l'homogénéité des surfaces des couches minces déposées. Le comportement en photoluminescence de couches minces de SnO2: (F, Co) a également été étudié. La résistivité électrique, la concentration des porteurs en volume, la concentration des porteurs en surface et la mobilité ont été déterminées à partir des mesures de l’Effet Hall et les résultats suivants ont été obtenus avec une conductivité de type- n dans toutes les couches déposées. Une résistivité minimale de 1,16 × 10-2 Ω.cm et une mobilité élevée de 15,13 x 102 cm 2 .V-1 .s-1 ont été obtenues avec une concentration de Co égale à 3 at. %. Ces résultats montrent que les propriétés électriques de ces couches minces ont été considérablement améliorées, ce qui permet leurs utilisation comme contacts ohmiques dans des dispositifs photovoltaïques.

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