Caractérisation Structurale, Électronique Et Optique Des Semi-conducteurs Cdte Et Cds Pour Des Applications Dans Les Cellules Photovoltaïques

Résumé: Les semi-conducteurs CdTe et CdS ont des propriétés importantes notamment dans la fabrication des dispositifs optoélectroniques. On a étudié les propriétés structurales, électroniques et optiques des composés CdTe et CdS. On a calculé la constante de la maille, le module de compressibilité et sa dérivée par rapport à la pression. L’étude de la structure de bande montre un gap direct Γ-Γ dans ces deux composés. L’étude de la performance de la cellule solaire nécessite l’utilisation du programme SCAPS -1D. On a étudié la performance de la cellule solaire de SIGS Cu (In, Ga) . On a étudié l’effet de l’épaisseur du CIGS (couche absorbante), la température et la résistance série sur le courant de court-circuit Isc, la tension à circuit ouvert Vco, le facteur de forme FF et le rendement η. Abstract The semi-conductors CdTe and CdS have important properties in the fabrication of optoelectronic devices. We studied the structural, electronic and optical properties of CdTe and CdS. We calculated the lattice constant, bulk modulus and its pressure derivative. The investigation of band structure shows a Γ-Γ direct band gap in both compounds. The study of solar cell performance requires the use of SCAPS-1D program. We studied the performance of solar cell with a SIGS Cu (In, Ga) . We investigated the effect of thickness absorber, the temperature and the series resistance on court circuit current, voltage open circuit, the fill factor and efficiency.

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