Contribution A L'étude De La Croissance Des Cavités D'hydrogène Dans Les Semi Conducteurs
2018
Thèse de Doctorat
Génie Mécanique

Université Ferhat Abbas - Sétif 1

O
Okba, Fouad

Résumé: Parmi les matériaux de base utilisés en microélectronique pour la fabrication de substrats innovants,le silicium sur isolant (SOI*Silicon On Insulator*),fabriqué par la technologie Smart Cut tm ,aréussi a tirer son épingle du jeu. Le SOI permet d'améliorer les performances des composants (transistors plus rapides, consommation d'énergie réduite) .

Mots-clès:

silicium sur isolants
précipitation de l’hydrogène
croissances des platelets
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