Etude Des Caracteristiques Electriques I(v) Du Transistor Mesfet A Base De Gaas
Résumé: Cette étude a pour objectif de simuler des transistors à effet de champ à barrière Schottky à base d’arsenuire de gallium dit MESFET GaAs. Apres avoir rappelé brièvement les généralités de ces transistors, les propriétés physiques de la diode Schottky et du semi-conducteur GaAs, nous avons présenté la structure et le principe de fonctionnement des composant à effet de champ à base de GaAs, tels que : JFET, MOSFET, MESFET et leur dérivé HEMT. Par la suite, l’étude des propriétés statiques du composant MESFET nous a conduit à définir le système d'équations générales régissant le comportement de ce composant, ainsi que l’effet de la mobilité et de la vitesse des électrons en fonction du champ électrique.
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