Etude, Simulation Et Optimisation D’une Photodiode Ultra Rapide À Base Des Nouveaux Matériaux Ingaas/inp
2021
Mémoire de Master
Génie Eléctrique Et Eléctronique

Université Saad Dahleb - Blida

E
El Mechri, Naima
L
Longou, Ghania Asma

Résumé: La transmission optique à très haut débit, nécessite le développement de récepteurs de très hautes performances. Ce travail porte sur l’étude, la simulation et l’optimisation d’une photodiode ultra-rapide à base d’un composé ternaire de semiconducteurs III-V de l’épitaxie InGaAs sur le substrat InP. Nous avons optimisé l’impact de la concentration d’indium sur les différentes paramètres électriques et optiques de l’alliage InGaAs/InP, à l’aide d’un logiciel de simulation qui est Matlab, ainsi que la capacité et la fréquence de coupure d’un photodétecteur

Mots-clès:

photodiode
substrat
épitaxie
semi-conducteur iii-v
capacité
fréquence de coupure
photodétecteu
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