Étude Et Optimisation D’un Photodiode A Base De Gan
Résumé: Durant cette dernière décennie, Les nitrures d’éléments III tels que le GaN, l’InN, l’AIN et BN, sont entrain de connaitre un essor considérable. L’intérêt crois- sant pour la construction des dispositifs électroniques à Semi-conducteur pour les applications dans les domaines de la micro, de la nano et de l’optoélectronique. Ce travail se rapporte sur l’étude des structures les photodiodes PIN à base de nitrures de galium, le structure Au/Ni/AlGaN / GaN sCe travail est une simu- lation basée sur le logiciel SILVACO Atlas pour obtenir .les caractéristiques élec- triques et optiques de la photodiode jonction à savoir la caractéristique courant- tension (I-V) . "During the last decade, nitrides of III elements such as GaN, InN, AIN and BN, are experiencing a considerable boom. The growing interest in the construction of semiconductor electronic devices for applications in the fields of micro, nano and optoelectronics. This work relates to the study of the structures of the PIN photodiodes based on galium nitrides, the Au/Ni/AlGaN / GaN structure. This work is a simulation based on the SILVACO Atlas software to obtain the electrical and optical characte- ristics of the photodiode junction namely the current-voltage (I-V) characteristic"
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