Contribution À La Modélisation Et L’optimisation Des Transistors Multi-grilles : Application À La Conception Des Dispositifs Nanoélectroniques
Résumé: L’étude de la possibilité d’utilisation des modèles numériques dans le domaine de la nanoélectronique, notamment sous forme de prédicteur et simulateur des dispositifs nanométriques (DG MOSFET, GAA MOSFET, Graphene FET...) s’avère nécessaire pour la modélisation et la simulation des dispositifs fortement submicroniques. L’intérêt des procédures de modélisation est de montrer les effets de canal court afin d’étudier le comportement des transistors nanométriques. Dans ce travail, on propose des études analytiques compactes et numériques des structures MOSFET GAA, MOSFET DG et Graphene FET. De nouveaux modèles comportementaux en incluant l’effet des porteurs chauds et l’effet des pièges volumique sont présentées et peuvent être facilement utilisés par les programmes de simulation de circuits électroniques (CADANCE, PSPICE...) pour des prédictions plus précises des caractéristiques des structures multi-grilles MOSFETs nanométriques. Un bon accord a été trouvé entre nos résultats et les résultats expérimentaux et numériques
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