Etude Des Propriétés Physiques Des Semi- Conducteurs Par La Méthode Ab-initio
Résumé: On a étudié les propriétés structurales, élastiques et électroniques à l’équilibre et sous l’effet de la pression pour les composés GaP, GaAs et GaSb. Ces composés cristallisent dans la structure blende de zinc. On a utilisé la méthode ab –initio avec un pseudo potentiel et ondes planes (PP-PW) avec la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) implémenté dans le code CASTEP. On a calculé la constante de la maille, le module de compressibilité et sa dérivée par rapport à la pression. Ces paramètres sont en bon accord avec l’expérience et les résultats théoriques cités dans la littérature. On a déterminé les constantes élastiques. La structure de bande électronique de chaque composé indique un gap direct Γ- Γ.
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