Modélisation Et Simulation D’une Structure À Base De Matériaux Iiiv Pour Les Télécommunications
Résumé: Ce travail porte sur la modélisation et la simulation de deux structures ternaires à base de semi-conducteurs III-V a puits quantique contraint,In N GaN et In Ga As/InP pour des applications en télécommunications. Nous avons étudié d’abord l’effet de l’incorporation d’une faible concentration d’indium sur les différents paramètres de ces alliages ternaires. En effet, l’incorporation de l’indium provoque un éclatement de la bande de valence en deux sous bandes ,sous l’effet de cet éclatement, il y a réduction de la bande interdite, ce qui est très intéressant pour l’obtention de la longueur d’onde 1.55µm (fenêtre pour fibre optique). Nous avons également étudié l’effet de la contrainte sur la structure de bande. On a calculé la longueur d’onde d’émission en fonction de la largeur du puits pour les deux structures en prenant en considération l’influence de la contrainte et la concentration x (Indium). Par la suite nous avons calculé le gain optique en fonction de la longueur d’onde en variant la largeur du puits, la densité d’injection des porteurs et la concentration de l’indium. Et à la fin on a atteint la longueur d’onde souhaitée pour les télécommunications 1.55µm pour la structure In . In Ga .In As InP In Ga Ga As InP N GaN Ga As InP.
Mots-clès:
Nos services universitaires et académiques
Thèses-Algérie vous propose ses divers services d’édition: mise en page, révision, correction, traduction, analyse du plagiat, ainsi que la réalisation des supports graphiques et de présentation (Slideshows).
Obtenez dès à présent et en toute facilité votre devis gratuit et une estimation de la durée de réalisation et bénéficiez d'une qualité de travail irréprochable et d'un temps de livraison imbattable!
Aucun fichier associé
Si le fichier est volumineux, l'affichage peut échouer. Vous pouvez obtenir le fichier directement en cliquant sur le bouton "Télécharger".
