Electrical Properties Of The Gaalassb/gasb Heterojunctions For Lasers And Photodetectors Application
Résumé: The GaAlAsSb alloy is an interesting material for optoelectronic device technology and particularly for the preparation of lasers and photodetectors. Therefore, electrical properties of GaSb/GaAlAsSb heterojunctions are important for the characteristic devices based on them.The current-voltage characteristic of Ga0.53Al0.47As0.04Sb0.96(p)/GaSb(n+) heterojunction, obtained byliquid phase epitaxy on GaSb substrate, is studied. The current of the heterojunction, which is essentially a thermoionic emission of holes, has a behavior identical than that of the Schottky diode, which have permitted to derive the barrier height Vb = 685 meV for this heterostructure. The Richardsonconstant of the system is calculated to be 49.1 A.cm-2. K-2.The band offsets at the interface between the two semiconductors are determined as ∆EC = 460 meV, ∆EV = 128 meV, in agreement with other works. The preliminary study of the variation of the valence band offset with Al composition shows a good agreement with the theoretical models proposed by Jaros and Mujica.
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