Etude Des Propriétés Électroniques Des Semi-conducteurs Amorphes Par Les Photo-courants Transitoires

Résumé: Les propriétés électroniques des matériaux amorphes sont considérablement affectées par la forme de la densité des états localisés dans la bande interdite. Pour le cas des matériaux semi-conducteurs amorphes à résistance élevée, la technique expérimentale de la photoconductivité transitoire (TPC) est une technique de choix pour explorer cette densité. Le but de ce travail est d’élaborer un code numérique permettant de calculer la densité d’états à partir du spectre de la photoconductivité transitoire dans le cadre du modèle de conduction par piégeage multiple, ou de prévoir les courants (TPC) en admettant une densité d’états, et ceci en utilisant la technique de Laplace puis l’utilisation de ce code dans des études en cours sur les chalcogénures. Le régime transitoire est simulé par la résolution numérique des équations de continuité et les équations de piégeage multiple, en considérant les conditions de la technique de la photoconductivité transitoire (TPC). Ainsi, l’objectif de ce travail, est en grande partie validé par l’élaboration d’un code en utilisant le logiciel MATHCAD. La forme de la densité d’états est bien déterminée pour les cas suivants: le sélénium (a-Se) pur, et le sélénium dopé avec l’arsenic.

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