Simulation Of Tunnel Junction In Cascade Solar Cell (gaas/ge) Using Amps-1d D.
Résumé: The development of the tunnel junction interconnect was key to the development of the first two-terminal monolithic, multi-junction solar cell. In this paper describes a simulation for the tunnel junction (AlGaAs) between top cell( GaAs) and bottom cell (Ge ).this cascade solar cell was simulated using the one dimensional simulation program called analysis of microelectronic and photonic structures (AMPS-1D). In the simulation, the thickness of the tunnel junction layer was varied from 5 to 50 nm. By varying thickness of tunnel junction layer the simulated device performance was demonstrate in the form of current-voltage(I-V) characteristics and quantum efficiency (QE)
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