Caractérisation De La Durée De Vie Des Électrons Par Qsspc Dans Les Plaquettes De Silicium Multi Cristallin Type -p Destinées Aux Cellules Photovoltaïques.
Résumé: Les travaux de recherche effectués dans le cadre de cette mémoire ont pour objectifs : • L'amélioration de la qualité électrique des substrats de silicium multi cristallin obtenu dans notre Unité par le procédé de tirage à échangeur thermique (HEM), avec le gettering externe au phosphore. • L'élaboration d'une nouvelle source dopante au phosphore pour réaliser des émetteurs n+p sur des substrats de silicium multi cristallin (Si-mc). Nous avons procédé à l'étude du gettering externe par diffusion de phosphore appliqué sur des plaquettes de Si-mc HEM/UDTS. Deux sources ont été utilisées pour effectuer le gettering ; une source préforme avec un gettering homogène et une source liquide de POCl3 avec deux schémas : gettering homogène et étendu. L'application du gettering externe par source liquide de POC13 dans un four de diffusion conventionnel ainsi que par les sources préformes, ont conduit à une nette amélioration de la durée de vie (Teff). Les valeurs initiales mesurées sur des substrats de Si-mc sont de l'ordre de 3 à 8 usec. Nous avons obtenu une nette augmentation de la durée de vie de 15 à 37usesc avec les procédés homogène et étendu par source liquide POCL3, et 20 usec avec gettering par des sources préformes.
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