بـمـعـالـجة الـشــروط الـحـديـة والـحـلـول الأولـيـة(icp) في الـبـلازمـا الـمـقـتـرنـة بالـحـث (sih4/o2) حـسـاب تــراكـيـز الـجـسـيـمـات الـحـيـاديـة والأيـونـات لــخلـيـط الـغـاز
Résumé: Our study is based on calculating the concentrations of neutral particles and ions for the 〖SiH〗_4/O_2 gas mixture used in the deposition of thin layers by Inductively Coupled Plasma (ICP) by treating the boundary conditions and initial solutions. We relied on data on S.Tink and A.Bogaerts work for each of (Te, Tgaz, ne). In our work, we chosed 19 neutral particles, 9 ions and 82 chemical reactions inside the reactor. We also elaborated a numerical program in Fortran language to calculate the diffusion coefficient, kinetic coefficient, and concentrations for each of the neutral particles and ions. Our program is based on the fluid model (continuity equation) finite difference method and Gauss-Seidel iterative algorithm. We obtained different concentrations of particles which correspond with the results of S. Tinck and A. Bogaerts.
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