Élaboration Et Caractérisation De Couches Minces De Cu(in,ga)se2
Résumé: Des couches minces de CuInSe2 ont été élaborées par co-électrodéposition sur des substrats de Mo. Les films préparés ont été recuits sous vide à 300, 400 et 500°C pendant 30 min. La voltampérométrie cyclique a été utilisée tout d’abord pour étudier le mécanisme d'électrodéposition. Les dépôts ont été caractérisés par deux techniques: la microscopie électronique à balayage (MEB) et la diffraction aux rayons X (DRX). Les films présentent la phase CuInSe2 sous sa structure chalcopyrite avec une orientation préférentielle de croissance suivant la direction [112]. L’analyse chimique indique des rapports atomiques en [Cu]/[In] proche de 0.3, 0.6, et 1.12 pour les rapports initiaux de [Se]/[In] de 1, 1.66 et 2, respectivement.
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