Effet De La Vitesse De Recombinaison Au Niveau D’un Agrégat Métallique Plongé Dans Un Semi-conducteur Sur Le Contraste. Modèles Classique Et Quantique

Résumé: Un modèle de contraste EBIC, en présence d’un précipité sphérique dans un semiconducteur de type p est élaboré. Dans une première étape, un calcul self- consistant de la hauteur de barrière et de la vitesse de recombinaison à l’interface d’un précipité métallique et d’une matrice semi conductrice est présenté et ce, dans le cadre de la théorie Hall Shockley Read (S.R.H). La procédure adoptée tient compte des seules variations du quasi niveau de Fermi associé aux porteurs de charge minoritaires dans les zones de charge d’espace et quasiment neutre ; de plus, un déplacement rigide des bandes est assumé. Par ailleurs, une distribution mono énergétique des états d’interfaces est considérée et ce, dans deux cas limites qui sont le modèle du niveau à demi plein (H.F.L.M) et celui qui suppose que le défaut sphérique est neutre à l’état initial (X.F.L.M). Le processus de recombinaison est étudié en fonction de la concentration des défauts, de la taille du précipité et de la température. L’effet du niveau d’injection est également discuté. Les résultats obtenus montrent une variation continue des courbures de bande d’énergie du quasi niveau de Fermi associé aux porteurs de charge minoritaires dans les zones déserte et quasiment neutre, confirmant ainsi ceux obtenus par certains auteurs sur d’autres types de défauts comme la dislocation ou le joint de grains. Leurs maximums décroissent avec la taille du précipité sphérique ; ceci est lié principalement à la diminution des hauteurs de barrière de potentiel et donc de la vitesse de recombinaison dont les comportements sont fonction de la densité d’états d’interface associés au défaut considéré et de l’excitation extérieure. Un accord qualitatif entre nos résultats et ceux de la littérature est constaté, les écarts étant attribués aux différentes hypothèses de travail retenues.

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