Caracterisation Optique Et Electronique Des Semiconducteurs Amorphes Par La Technique De Photocourant Constant En Regime Continu (dc-cpm)

Résumé: Notre but dans cet article est de déterminer les propriétés optiques et électroniques des semiconducteurs amorphes en particulier le silicium amorphe hydrogéné a-Si:H. Pour cette raison, on a mesuré le coefficient d'absorption optique de deux échantillons en a-Si : H par la technique de photocourant constant en mode continu (DC-CPM). Ces deux échantillons, une non dopé et l’autre dopé de type n, sont préparés par la technique de décomposition chimique en phase gazeuse assistée par plasma (PECVD). Ensuite, on a convertit les spectres d’absorption mesurés en densité d'états électronique (DOS) à l’intérieure du gap de mobilité. En outre, on a développé un programme pour modéliser la technique DC-CPM en tenant en compte toutes les transitions thermiques et optiques possibles entre les états localisés dans le gap et les états étendus dans la bande de valence et de conduction. Le modèle de ‘‘defect pool’’ pour la densité d’états électronique (DOS) est incorporé dans notre modélisation. Les résultats obtenus par mesures sur les deux échantillons en a-Si : H démontrent que le coefficient d’absorption optique est sous estimé seulement pour le cas non dopé. Nous affectons cette sous estimation au régime continue (mode DC) utilisé pour déterminer le coefficient d’absorption optique et au type du matériau. Quand aux résultats obtenus par modélisation, ils montrent l’importance de considérer les deux coefficients d’absorption dues aux électrons et aux trous pour reconstituer à la fois la densité des états occupés et non occupés.

Publié dans la revue: Courrier du Savoir scientifique et technique