Étude Et Modélisation De Défauts De Chute De Tension D'alimentation (ir Drop) En Technologie Cmos Nanométrique.
Résumé: Avec L'apparition des technologies nanométriques, de nouveaux défauts dont l'impacte sur le fonctionnement des circuits et systèmes était jusqu'à présent négligeable, prennent une grande importance du au fait de la réduction des dimensions de transistors. parmis ces défauts on trove les fluctuations des tensions de référence (ground bouns), les chutes de tension d'alimentation (IR drop); ou encor les dérives de tension de seuil ( Negative Bias Temperature Instability, NBTI). Il est donc nécessaire de considérer l'impacte de ce type de défauts, et de les prendre en compte dans le cadre de modifications. Le sujet de ce mémoire cocerne la modélisation de tels défauts paramétriques en technologie CMOS nanométrique en vue de tests statiques ou dynamyques. Ainsi, l'étude pourra commencer par l'obsevation et l'analyse statique et dynamique de l'impacte de tels défauts sur le comportement éléctrique d'un circuit numérique. L'objectif de ce mémoire est de définir un modèle électrique complet (statique et dynamique) pour l'IR drop. Les modèles ainsi développés pourront ensuite etre utilisés afin d'etre implémentés dans un générateur de vecteur de tests (ATPG) et/ou un simulateur de fautes.
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