Impact Of Nbti Stress On Vdmosfet Regions
Résumé: In this paper, we investigate the impact of negative bias temperature instability (NBTI) degradation on both channel and drain regions, of commercial power double diffused MOS transistor (VDMOSFET), using capacitance-voltage method (C-V). We report that the degradation is important at channel (drain) region in p-channel VDMOSFET (n-channel VDMOSFET). That means that the phosphorus doped region (n-type) is more sensitive to NBTI stress.
Mots-clès:
Publié dans la revue: Algerian Journal of Signals and Systems
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