Effect Of Annealing Temperature And Indium Doping On Structural, Optical And Electrical Properties Of Tin Oxide (sno 2 )thin Films Deposited By Ultrasonic Spraytechnique
Résumé: Highly transparent and semiconducting indum-n oxide films were deposited on a glass substrate at 400°C using an ultrasonic spray technique. The effect of In-content andannealing temperature on the structural,optical and electrical properties were examined. The X rays diffraction (XRD) analysis shows that In doped SnO films have polycrystalline natureThe preferential orientations are sensitive to indium doping and annealing temperature. Thefilms crystallite size and crystallinity are enhanced after annealing at 600°C for 30 min. Theasdeposited films show low
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