Etude De Vieillissement Du Transistor Mos Par La Technique De Pompage De Charge
Résumé: Les renseignements concernant l'état de l'interface oxyde-silicium du transistor, avant et après les contraintes de vieillissement, permettent de prévoir l'évolution des paramètres du composant considéré et donc de modéliser son comportement dans le temps, pour améliorer ses performances générale et sa durée de vie en particulier. La technique de pompage de charge est une technique expérimentale qui permet de caractériser, avec une grande précision , l'interface oxyde-silicium des transistors MOSFET de très faible dimension (submicronique).
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