Simulations D’une Diode Schottky À Base D’algaas
Résumé: L’objectif du présent travail est la simulation par le simulateur SILVACO ATLAS TCAD (Technology Computer Aided Design) des propriétés électriques courant-tension (I-V) et capacité-tension (C-V) d’une diode à barrière de Schottky formée à partir de matériaux III-V, l'arséniure de gallium (GaAs) et L’arséniure Aluminium de gallium type p (p-AlGaAs), en vue d’une étude de l’influence de certains paramètres géométriques et physiques.
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