Effet De La Déformation Sur Les Propriétés Des Semi-conducteurs
Résumé: Dans ce travail nous avons étudié les propriétés structurales et électronique des composés GaN,ALN,BN et InN dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (D F T). Nous avons utilisé la méthode des ondes planes augmentées et linéarisées avec un potentiel total (FP-LAPW ).Les résultats obtenus pour les propriétés structurales sont en bon accord avec les valeurs expérimentales . les bandes d'énergie montrent que les composés BN,AIN,et GaN sont des demi-conducteurs avec un large gap d'énergie,tandis que InN à un petit gap .nous avons calculé les potentiels de déformation pour la déformation tétragonale .Ces résultats sont en bon accord avec les autres calculs.
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