Qualitative Study Of Indium Gallium Nitride (ingan) – Based Solar Cell.
Résumé: Dans ce travail, nous avons étudié trois cellules solaires PIN basées sur 𝐼𝑛𝐺𝑎𝑁. Le premier est une homojonction 𝐼𝑛𝐺𝑎𝑁 unique (structure A), le deuxième est une hétérojonction GaN / InGaN (structure B) et le troisième est une hétérojonction double GaN / InGaN avec une couche tampon de GaN sur un substrat en saphir (structure C). L'étude a été réalisée à l'aide du simulateur logiciel Silvaco-Atlas. La plus grande efficacité a été fournie par la cellule A qui a donné 19,62% d’alliage (𝐼𝑛0.60𝐺𝑎0.40𝑁 ) . La meilleure efficacité atteinte par la cellule B est de 10,63% avec l'alliage 𝐼𝑛0.34𝐺𝑎0.66𝑁) . La cellule C a donné un rendement optimal de 7,84% avec l'alliage (𝐼𝑛0.34𝐺𝑎0.66𝑁) .L’efficacité de la cellule C a été améliorée grâce à l’effet de durée de vie 𝜏𝑛 qui donnait une efficacité optimale de 8,16%, à l’effet d’épaisseur de couche P-GaN qui donnait une efficacité optimale de 7,87% et à l’effet d’épaisseur de couche I-𝐼𝑛𝐺𝑎𝑁 qui une efficacité optimale de 11,61%. Mots clés: 𝑰𝒏𝑮𝒂𝑵 - cellule solaire - Efficacité – Simulation-Silvaco Atlas.
Mots-clès:
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