Modélisation Compact Du Transistor Mosfet

Résumé: La complexité des architectures sur silicium et la conception assistée par ordinateur, requiert une modélisation poussée du comportement électrique des dispositifs MOS. La réduction des géométries des transistors s’accompagne du développement de nouveaux procédés de fabrication qui générer des effets parasites dans le fonctionnement des composants. Ceci à pour conséquence d’accroître la complexité des modèles prédictifs, qui sont ainsi ajustés et optimisés à chaque nouvelle génération de procédés de fabrication, Ces modèles s’établissent à partir des propriétés électriques globales du composant, obtenues à l’aide de leurs caractéristiques I-V ajustées. Dans ce manuscrit, on a présentée la modélisation compacte du transistor MOSFET, dans l’objectif de faire une discussion de l’état du transistor selon la tension de la graille et celle du drain. Ce travail est présenté dans trois chapitres. Le premier chapitre en a aborde le principe et les généralités sur le fonctionnement du transistor MOSFET, Le deuxième chapitre parle des approches de la modélisation compacte, tel le modèle à tension de seuil, le modèle à potentiel de surface, et le modèle à densité de charges ; et pour le troisième on a fait une petite évaluation des caractéristiques avec équations du courant de drain Id en fonction de la tension de graille Vgs, et celle du drain Vds, à l’aide du logiciel Mathcad.

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