Etude Et Simulation De La Structurer Ingaasbi/gaas A Puits Quantique Pour L’émission Proche Et Moyen Infrarouge
Résumé: Dans ce travail, nous nous sommes intéressé à l’étude et la simulation d’une structure à base de pour l’émission proche et moyen infrarouge. Cet alliage quaternaire qui est un semi-conducteur III-V présente des caractéristiques importantes notamment son énergie de gap qui diminue d’une manière drastique du à l’incorporation d’indium dans le GaAs. Nous avons également étudié les différents paramètres caractérisant les lasers qui nous ont servi à calculer leur longueur d’onde d’émission d’un laser à puits quantique. Mots clés : laser ; puits quantique ; longueur d’onde d’émission.
Mots-clès:
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