Etude Et Simulation De L’implantation Ionique Des Dopants Dans Des Structures Mos

Résumé: Les performances des dispositifs sont étroitement liées à leurs méthodes de fabrication et sont fortement dépendantes des défauts qui sont associés aux processus technologiques (dépôt, implantation ionique, diffusion,..) Ce travail consiste à étudier les phénomènes physiques responsables de la diffusion et de l'implantation de dopants, la compréhension physique des phénomènes est nettement améliorée grâce aux outils de modélisation. La simulation sous TCAD-SILVACO permettent aujourd'hui et grâce des modèles physiques de plus en plus sophistiques de reproduire et prédire des profils de dopage. Cependant, la modélisation doit aussi faire face à la complexité croissante des mécanismes physiques lies à la miniaturisation. Dans ce travail nous avons étudié un procédé technologique de la fabrication de dispositifs en silicium appelé implantation ionique voir comment se fait la distribution des atomes implantés sur la profondeur en variant les paramètres de la dose, de l'énergie d'implantation, la température et la durée de recuit thermique. Nous avons élaboré un modèle de diffusion de bore dans polysilicium bien adapté aux effets des fortes concentrations en dopant , ce modèle tient compte du mécanisme lacunaire de diffusion, qui permet d'expliquer les paramètres influant sur la diffusion de bore dans polysilicium, le modèle a été comparé avec ceux issus par simulation sous SILVACO.

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