Etude Des Propriétés Structurales Électroniques Et Thermodynamiques Des Alliages Semi-conducteurs Ternaires Et Quaternaires

Résumé: Nous avons étudié les propriétés structurales, électroniques, optiques et thermiques des semi-conducteurs chalcopyrites MgXAs2 (X = Si, Ge) en utilisant la méthode des ondes planes augmentées (FP-LAPW) basée sur la théorie de la fonctionnelle de la densité DFT. Pour calculer les propriétés structurales, nous avons pris comme terme de potentiel d’échange et de corrélation l’approximation WC-GGA. D’autre part, pour calculer les propriétés électroniques, en plus de l’approximation WC-GGA et l’approximation du potentiel modifié de Becke et Johnson mBJ proposée par Tran et Blaha a été employée. Les caractéristiques optiques, telles que les fonctions diélectriques, les indices de réfraction, le coefficient d'extinction et la réflectivité optique, sont calculées pour des énergies de photons allant jusqu'à 14 eV. Les constantes élastiques (C11, C12, C13, C33, C44 et C66) sont évalués. L'approximation quasi harmonique de Debye est utilisée pour décrire la dépendance pression-température du volume, du module de compressibilité, du coefficient de dilatation thermique, de la chaleur spécifique, de la température de Debye et de l'entropie. L’étude est également étendue à l’alliage MgSi1- xGexAs2 où nous avons étudié l’effet de la concentration sur les différentes grandeurs physiques.

Publié dans la revue: