Organisation Des Nanostructures Par Des Réseaux Carrés De Dislocations Enterrés Sur Des Substrats De Silicium Si Et D’alliage De Gallium Arséniure Gaas.
Résumé: Dans ces dernières années, les nanotechnologies et les nanostructures font l’objet d’un intérêt croissant car leurs applications industrielles sont nombreuses et concernent les domaines les plus variés, de l’électronique à la médecine en passant par l’aéronautique, la défense, l’environnement. L’objectif de ce travail est d’étudier la possibilité d’organiser à longue distance des nanostructures auto-assemblées sur des substrats, grâce aux champs élastiques produits en surface par des réseaux de dislocations périodiques faiblement enterrés. Un modèle mathématique basé sur les séries de Fouriers a permis de calculer numériquement les champs élastiques anisotropes dans le cas d’un joint de torsion générant un réseau carré de dislocation vis. Des applications numériques pour le calcul des déplacements, des déformations, des contraintes et des énergies ont été présentées, soit pour le joint de torsion Si/Si ou bien celui de GaAs/GaAs. Ces champs élastiques montrent qu’elles reproduisent exactement l’organisation des dislocations faiblement enterrées et que leurs amplitudes sont d’autant plus fortes que l’épaisseur de la couche collée est faible.
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