Modélisation Électrique D'hétérostructures Semiconductrices À Base D'antimoine
Résumé: Le travail que nous effectuons dans le cadre de cette thèse concerne la modélisation de composants optoélectroniques pour les applications dans le moyen infrarouge. Compte tenu de sa large étendue spectrale, le domaine infrarouge est généralement subdivisé en trois régions le proche infrarouge, le moyen infrarouge et l’infrarouge lointain . notre étude portera sur les solutions solides quaternaires GaInAsSb et GaAlAsSb qui apparaissent, donc, comme des matériaux de choix pour la réalisation des composants moyen infrarouge. De plus, les hétérostructures mixtes à base de ces matériaux présentent un réel potentiel pour la réalisation de lasers et de détecteurs performants aux longueurs d’onde 3‐5 μm et 8‐12 μm des fenêtres atmosphériques.
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