Implémentation Physique D’un Amplificateur À Faible Bruit Avec La Technologie Cmos 0.13µm

Résumé: Les travaux de ce mémoire s’inscrivent dans le cadre du développement des récepteurs sans fil pour le domaine de la télécommunication. Nos travaux de recherches se focalisent sur la conception et l’implémentation des dessins de masque d'un Amplificateur à faible bruit (LNA) qui permet de répondre aux besoins des applications sans fil en terme de faible coût, faible consommation et haut débit. Nous avons développé un Amplificateur à faible bruit complémentaire à contre réaction résistive Multistandards reconfigurable avec la technologie 130 nm de STMicroelectronics. Cette architecture exploite une large bande de fréquences qui nous permets d’utilisé plusieurs standards à la fois dans un seul bloc RF. Nous avons étudié puis simuler avec CADENC IC les paramètres essentiels pour une implémentation physique qui est la dernière étape avant la fabrication. L’implémentation physique de cet amplificateur consiste à faire l’ensemble des dessins de masques de ce dernier avec moins de contraintes possible et on respectant les règles du fondeur, puis effectuer une simulation post-layout qui nous permets de valider les performances de ce circuit avant de l’envoyer à la fabrication.

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