Etude D’une Nanostructure À Effet Tunnel Résonnant De Porteurs De Charges À Base De Puits Quantique Hg1-xcdxte/cdte

Résumé: Ce travail, nous étudions une nanostructure à effet tunnel résonnant à base de puits quantiques de matériaux semi-conducteurs II-VI à petit gap : HgTe/CdTe/Hg1-xCdxTe. Pour l'étude de l'effet tunnel résonnant dans ces nanostructures; nous effectuons un calcul du facteur de transmission et du courant tunnel en utilisant la théorie k.P, et en adaptant la technique de la matrice de transfert. L'intérêt de ce travail est de montrer comment l'effet tunnel résonnant à base de puitsquantique Hg1-xCdxTe/CdTe est utilisé comme un moyen pour réaliser des oscillateurs, des mulitiplieurs de fréquences, et des composants logiques très rapides qui fonctionnent dans le domaine du TéraHertz.. Au Chapitre I, nous passons en revue les principales propriétés du phénomène de l'effet tunnel résonnant d'électrons et de trous et le passage de ces porteurs par transport balistique. Au Chapitre II, nous étudions les propriétés structurales et de bandes des composésbinaires II-VI : HgTe, CdTe, ainsi que les propriétés de l'alliage ternaire Hg1-xCdxTe. Au Chapitre III, nous décrivons les hétérostructures Hg1-xCdxTe/CdTe, et leurs techniques de croissance. Par la suite nous abordons la méthode de calcul k.P et le calcul du confinement et des niveaux d?énergie de l'hétérostructure Hg1-xCdxTe/CdTe. Au Chapitre IV, nous présentons les résultats de calcul du facteur de transmission et du courant tunnel d'électrons et de trous réalisé par la méthode de la matrice de transfert. Enfin, nous étudions quelques applications de l'effet tunnel résonnant à base de puitsquantique Hg1-xCdxTe/CdTe dans les hautes fréquences (domaine des THz).

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