Etude Des Nanostructures Laser À Base De Puits Quantiques Hg1-xcdxte/cdte

Résumé: L'Objectif est d'étudier la faisabilité d'un LASER à base d'un puits quantique de matériaux semiconducteur II-VI : HgTe, CdTe, HgCdTe HgCdTe/CdTe qui caractérisé par : Couvrent la gamme spectral (8-12) micro m. Un courant de seuil très faible Un gain différentiel élevé Pour atteindre ce but nous allons pris quatre chapitre Le chapitre I : Nous ferrons le point sur les différents types des diodes laser à semiconducteur. Nous définirons les principes caractéristiques de ces diodes en particulier le laser à puits quantiques à base de HgCdTe/CdTe. Le chapitre II : Nous étudierons les semiconducteus tellurure, Nous verrons d?abord les binaires zincs blend HgTe, CdTe et leur alliage ternaire Hg1-xCdxTe. Ensuit, les différentes techniques de croissances et leur problème de croissance. Le chapitre III : Nous étudierons les propriétés optique et structurale des nanohétérostructures réaliser, Qui nous permettrons de calculer les niveaux de confinements dans le puits, ensuit le mesure de gain optique et le courant de seuil. Le chapitre IV : On montre les différents types d'application de LASER à base d?un puits quantiques HgCdTe/CdTe qui émette dans l'infrarouge lointain, L'analyse de gaz (contrôle de pollution atmosphérique suivant un possède industriels), en médecine (aide au diagnostique, micro chirurgie), ainsi dans le domaine militaire (guidage de missile, contre mesure), lidars

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