Contribution À L'étude Des Propriétés Bidimensionnelles Des Composants À Effet De Champs Mesfert Gaas
Résumé: L'objectif de ce travail rentre dans le cadre de la modélisation et la simulation destinée à l'étude des composants optoélectroniques à effet de champ optique à l'arséniure de gallium dit " MESFET GaAs " et des méthodes d'optimisations permettant d'en tirer encore plus de profit. En premier lieu nous avons rappelé brièvement les propriétés physiques de la diode Schottky et du matériau semi-conducteur arséniure de gallium " GaAs ", nous présentons la structure et le principe de fonctionnement des composants à effet de champ " MESFET, MESFET SiC et HEMT ", ainsi que les phénomènes physiques qui régissent leurs performances. en caractérisant tous les éléments constituant les composants. Ce travail traite les simulations du MESFET GaAs avec un canal à dopage homogène, un modèle analytique est proposée pour un Semi-conducteur MESFET à l'arséniure de gallium optiquement contrôlée à grille submicronique, connu comme Transistor à effet de champ optique (OPFET) compte tenu de la distribution bidimensionnelle du potentiel et du champ électrique sous la zone de charge d'espace, ainsi que l'effet des éléments parasites et des paramètres physiques spécifiques à ce composant. . Ensuite une modélisation mathématique du comportement dynamique de la zone active du transistor a été développée, ainsi que une présentation de son schéma équivalent et la détermination des paramètres de la matrice admittance [Yij]. Finalement ces résultats permettent la mise au point d'un logiciel de simulation basé sur les expressions analytiques obtenues précédemment qui ont été présentés, discutés et comparés avec des méthodes numériques de résolution bidimensionnelles connues PDE Toolbox utilisées en logiciel MATLAB. Le modèle développé dans cette étude sera très utile au vu des résultats obtenus pour comprendre le comportement et le contrôle optique de l'appareil en régime submicronique pour des applications futures
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