Etude Des Propriétés Statiques Du Mesfet Sic Par Une Simulation Numérique
Résumé: Les transistors à effet de champ à barrière Schottky MESFET SiC sont des composants principaux utilisés en microélectronique. Pour cela, nous avons étudié les caractéristiques statiques du composant MESFET SiC, à l’aide d’un modèle analytique. Aussi, ce travail a pour but de simuler numériquement l’influence des paramètres technologiques et physiques sur le fonctionnement du transistor SiC tel que la longueur de grille, l’épaisseur, le dopage du canal et la température afin d’optimiser ces performances à travers le logiciel Matlab
Mots-clès:
Nos services universitaires et académiques
Thèses-Algérie vous propose ses divers services d’édition: mise en page, révision, correction, traduction, analyse du plagiat, ainsi que la réalisation des supports graphiques et de présentation (Slideshows).
Obtenez dès à présent et en toute facilité votre devis gratuit et une estimation de la durée de réalisation et bénéficiez d'une qualité de travail irréprochable et d'un temps de livraison imbattable!
Aucun fichier associé
Si le fichier est volumineux, l'affichage peut échouer. Vous pouvez obtenir le fichier directement en cliquant sur le bouton "Télécharger".
