Simulation Et Contribution À L’amélioration De La Structure D’un Dhfet À Base De Matériaux Binaires-ternaires Innovants (b,ga,al,in)n.
Résumé: Les transistors à effet de champ à double-hétérojonction (DH-FETs) à base des matériaux nitrurés apparaissent comme les meilleurs candidats pour les applications de puissance et hyperfréquence. Ces transistors intéressent les domaines militaire et civil. Notre travail consiste à simuler un transistor DH-FET à base des matériaux binaires-ternaires innovants (B,Ga,Al,In)N , afin d’améliorer ses performances fréquentielles. L’utilisation de ces matériaux nous a permis d’avoir de meilleures performances en termes de courant de sortie, tension de seuil, rapport Ion/Ioff, courant de fuite de la grille, fréquence de transition et fréquence maximale d’oscillation.
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