Optimisation Des Nanostructures À Base Des Semi-conducteurs Iii-v Pour La Détection Ultra-rapide
Résumé: A très haut débit, un photodétecteur performant devient un élément indispensable dans une chaîne de communication optique. Le but de la présente thèse est d'optimiser une photodiode PIN basée sur une structure stable permettant d'améliorer les performances du dispositif et d'augmenter sa durée de vie, afin d'obtenir une photodiode ultra-rapide. L'optimisation a été effectuée en insérant deux couches transparentes sur les côtés p et n afin de minimiser l'effet capacitif et celui relatif au temps de transit. En outre, l'effet de l'épaisseur de la couche absorbante et de la surface de la jonction sur les performances de la photodiode, composée d'une structure stable InGaAsN/GaAs, a été étudié. D'autre part, une autre étude a été réalisée dans laquelle la photodiode est constituée la structure GaInAs soumise à des contraintes en utilisant deux substrats largement exploités dans les applications optoélectroniques : l'InP et le GaAs. L'impact du type de contrainte appliqué au matériau sur la largeur de la bande interdite et le coefficient d'absorption a été abordé. Par la suite, il sera question dans le cadre de ce travail d'étudier l'effet de la contrainte sur l'évolution de la fréquence de coupure à -3dB et sur la réponse totale de la photodiode.
Mots-clès:
Nos services universitaires et académiques
Thèses-Algérie vous propose ses divers services d’édition: mise en page, révision, correction, traduction, analyse du plagiat, ainsi que la réalisation des supports graphiques et de présentation (Slideshows).
Obtenez dès à présent et en toute facilité votre devis gratuit et une estimation de la durée de réalisation et bénéficiez d'une qualité de travail irréprochable et d'un temps de livraison imbattable!
Aucun fichier associé
Si le fichier est volumineux, l'affichage peut échouer. Vous pouvez obtenir le fichier directement en cliquant sur le bouton "Télécharger".
